檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Wen-Cheng Ke".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="石墨烯介面層"
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料,在高功率動作下,元件將被施加更高偏壓,因此,如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構,降…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…